特許
J-GLOBAL ID：200903026592246583
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008328
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221333
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 熱処理プロセスを減らすことによって低コストで且つ高効率な太陽電池を得る。【構成】 テキスチャエッチングを施したP型のシリコン基板1の全面にN型不純物ペースト2を形成した後、受光面電極を形成しようとする部分以外の領域にチタン系ペースト3を形成してチタン系ペースト3が積層されている部分のみのリン濃度を薄くする。そして、熱拡散炉にて約900°Cで加熱して、部分的に深いN+層4を形成すると同時にチタン系ペースト3を緻密にして反射防止膜用の酸化チタン(TiO2)膜5を形成する。こうして、1回の熱処理によって、上記シリコン基板1における受光面電極が形成される部分に深い接合を形成する一方、それ以外の領域には浅い接合を形成して、低コストで且つ高効率な太陽電池を得る。
請求項（抜粋）：
P型シリコン基板における受光面の全面に、印刷法によってN型不純物ペーストを印刷して乾燥する工程と、上記N型不純物ペースト上における電極を形成しない領域に、後に反射防止膜と成るチタン系ペーストを印刷法によって印刷して乾燥する工程と、熱拡散処理によって、上記P型シリコン基板上におけるチタン系ペーストが印刷されている領域に浅いPN接合を形成する一方、上記P型シリコン基板上におけるチタン系ペーストが印刷されていない電極形成領域には深いPN接合を形成すると同時に、上記チタン系ペーストを上記反射防止膜に成す工程を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
