特許

J-GLOBAL ID：200903026601508634

半導体集積回路

発明者： 鈴木 幸英 ,  川村 昌靖 ,  宮武 伸一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268448
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106522
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 電源ノイズの低減と静電耐圧の向上を実現した半導体集積回路提供する。【構成】 出力バッファなどの所定の回路が形成される回路領域との間で信号の入出力や動作電源の供給を行うためのボンディングパッドのような複数個の電極パッドを備えた電極パッド領域EPADが形成され、該電極パッド領域に隣接した位置に第1の電源配線GLVCC1,GLVSS1を敷設し、当該第1の電源配線に沿ってこれと結合されたPN接合部を設ける。これは、P型半導体基板に形成したN型半導体領域LとN型ウェル領域NWELによって構成される。上記第1の電源配線下のPN接合部は基板電位の大きな変動を抑制し、且つその接合容量成分は電源ノイズを減少させる。

請求項（抜粋）：

所定の回路が形成される回路領域と、該回路領域に接続されると共に外部と接続される複数個の電極パッドを備えた電極パッド領域と、該電極パッド領域に隣接した位置に敷設された第1の電源配線と、当該第1の電源配線に沿ってこれに接続されて設けられたPN接合部と、が半導体基板に形成されて成るものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/10 311

FI (3件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 E