特許
J-GLOBAL ID：200903026604213058
薄膜半導体装置の製造方法とその構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154348
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008311
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】エッチングストッパ層を持つ逆スタガー型の薄膜トランジスタで、その製造工程数を削減する。【構成】ガラス基板1上にCrゲート電極2,ゲート絶縁膜窒化シリコン3,一括してパターニングし島状にした能動層8及びエッチングストッパ層9を形成する。次いで、n型非晶質シリコン7を堆積した後、これを異方性エッチングして除去し、能動層8とエッチングストッパ層9の側壁のみにn型非晶質シリコンを残留させオーミックコンタクト層10を形成する。次いで、ソース-ドレイン電極11,12を形成した後、等方性エッチングでソース-ドレイン電極間に残留したn型非晶質シリコンを除去し、最後に保護膜13を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に形成され、ゲート電極,ゲート絶縁膜,半導体からなる能動層,絶縁膜もしくは半導体からなるエッチングストッパ層,前記半導体に不純物をドーピングして形成されたオーミックコンタクト層,ソース-ドレイン電極を有する逆スタガー型の薄膜トランジスタの製造方法において、能動層及び前記エッチングストッパ層を島状に一括してパターニングした後、不純物をドーピングした半導体を堆積し、これを異方性エッチングして能動層の側壁もしくは能動層及びエッチングストッパ層の側壁のみにオーミックコンタクト層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
FI (3件)：
H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 619 A
