半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217175
公開番号（公開出願番号）：特開2004-061665
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】微細パターン形成が可能なArFリソグラフィを用い、配線孔を配線溝に先だって形成するデュアルダマシン法で銅配線回路を作る場合、配線孔内に残るレジスト残渣の影響で断線や配線抵抗の増大およびバラツキが生じるという問題、あるいは現像膨潤によって微細回路パターン形成ができないという問題を解決することが本発明が解決する課題である。【解決手段】配線溝パターンを形成する際のレジストとして露光部がラクトン化反応によりネガ化するネガ型レジストを用い、ArFリソグラフィを使って、配線孔を配線溝に先だって形成するデュアルダマシン工程を行う。本方法によって上記課題は解決される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被加工膜を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記被加工膜上に感光性薄膜を形成し、前記感光性薄膜に所望のパターンを露光し現像を行なうことにより、前記感光性薄膜をパターン加工する工程と、前記感光性薄膜をマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記貫通孔を含む前記被加工膜の所定領域に溝を形成する工程とを備え、前記感光性薄膜は、前記露光光の照射によりラクトン化反応を生じ、ネガ化するレジスト材料よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

G03F7/038 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/768

FI (7件)：

G03F7/038 601 , C08F220/28 , G03F7/11 503 , G03F7/32 , G03F7/40 521 , H01L21/90 A , H01L21/30 502R

Fターム (42件)：

2H025AA02 , 2H025AA19 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BD40 , 2H025BE00 , 2H025CB14 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025DA40 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096CA05 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA23 , 2H096HA27 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA11P , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100JA38 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033QQ01 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033TT04

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