特許

J-GLOBAL ID：200903026607473387

フツ化ペルフルオロアルキルスルホニルの製造方法およびそれに使用するための電極

発明者： アンドレアス・ブラン ,  ライナー・ベバー ,  ツビクニーウ・ムツイオル ,  ハルトムート・シユレツカー ,  ハンス-ハインリヒ・モレツト
出願人/特許権者： バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-207292
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【構成】 n=6〜10およびX=F、Cl、BrまたはIである一般式CnH2n+1SO2Xのハロゲン化アルキルスルホニルのフツ化水素中での電気化学的フツ素化による、n=6〜10である式CnF2n+1SO2Fのフツ化ペルフルオロアルキルスルホニルの製造方法が提供される。該方法は柱状構造を有するニツケルから成るかまたは柱状構造を有するニツケルで被覆された電極を用いることを特徴とする。【効果】 アノードの腐食を防止することができる。

請求項（抜粋）：

柱状構造を有するニツケルから成るか、または柱状構造を有するニツケルで被覆された電極を用いるフツ化水素中でのn=6〜10およびX=F、Cl、BrまたはIである式CnH2n+1SO2Xのハロゲン化アルキルスルホニルの電気化学的フツ素化によるn=6〜10である式CnF2n+1SO2Fのフツ化ペルフルオロアルキルスルホニルの製造方法。

IPC (4件)：

C25B 3/08 ,  C25B 11/04 ,  C25B 11/06 ,  C07C309/80

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-030785
  
• 特開平1-283397
  
• 特開平1-159390
  
• 特開平1-312095
  
• 特開平3-184923