特許

J-GLOBAL ID：200903026609339475

露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

発明者： 近藤 尚人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003222
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203855
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 露光対象領域の基板上の位置に拘わらず、マスクパターンの基板への転写精度を向上させる。【解決手段】 露光対象となるショット領域の基板上の位置に応じて判別できるそのショット領域が欠け区画領域であるか否かに応じて、投影光学系の光軸方向に関する基板表面の位置情報の検出結果に基づく基板の面位置制御の周波数応答特性が設定される(ステップ417、419、421)。そして、マスクと基板とが同期移動されつつ、基板表面の位置情報の検出及び周波数応答特性に従った基板の面位置制御が実行され、露光対象となる各ショット領域にマスクパターンがそれぞれ転写される(ステップ425)。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上の複数の区画領域にそれぞれ転写する露光方法であって、露光対象となる区画領域の基板上の位置に応じて、前記投影光学系の光軸方向に関する前記基板表面の位置情報の検出結果に基づく前記基板の前記光軸方向における面位置制御の周波数応答特性を設定する工程と;前記マスクと前記基板とを同期移動しつつ、前記光軸方向に関する前記基板表面の位置情報の検出及び該検出された位置情報に基づく前記設定された周波数応答特性に従った前記基板の面位置制御を実行し、露光対象となる各区画領域に前記パターンをそれぞれ転写する工程と;を含む露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/22

FI (4件)：

G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 526 B ,  H01L 21/30 516 B ,  H01L 21/30 518

Fターム (12件)：

5F046BA05 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046CC03 ,  5F046CC05 ,  5F046CC15 ,  5F046CC16 ,  5F046CC18 ,  5F046DA05 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05 ,  5F046DC10