特許

J-GLOBAL ID：200903026609688151

半導体装置

発明者： 山中 英二
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064413
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251604
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体の厚さを変えないでも高耐圧が得られる、コストの安い、pn接合型半導体装置の構造を提供する。【解決手段】 pn接合を有する半導体装置であって、低不純物濃度のn型半導体よりなるカソード層2の厚みよりも浅い環状の第1の溝Aを有し、前記第1の溝Aの底部にはp型半導体が選択的に不純物拡散されるとともに、前記第1の溝Aを取り囲むように、環状の第2の溝Bを有し、前記第2の溝Bは高不純物濃度のn+型半導体よりなるカソード電極層1に達する深さを有し、更に、前記第1の溝Aと第2の溝Bとの間の主表面はカソード電極層(n+)1と同じ導電型(n+)の高不純物濃度の拡散層(n+)5よりなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

pn接合を有する半導体装置であって、低不純物濃度のn型半導体よりなるカソード層の厚みよりも浅い環状の第1の溝を有し、前記第1の溝の底部にはp型半導体が選択的に不純物拡散されるとともに、前記第1の溝を取り囲むように、環状の第2の溝を有し、前記第2の溝は高不純物濃度のn型半導体よりなるカソード電極層に達する深さを有し、更に、前記第1の溝と第2の溝との間の主表面は、カソード電極層と同じ導電型の高不純物濃度の拡散層よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/22

FI (3件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 21/22 S ,  H01L 21/22 V