特許

J-GLOBAL ID：200903026610520434

半導体素子

発明者： 山口 清
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057451
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275862
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】受光及び発光機能を有し、光通信における双方向通信を可能にする半導体素子を提供する。【構成】本発明の半導体素子は、半導体積層構造からなり、駆動電圧が順方向、逆方向どちらの場合でもベース電流もしくは入力光に対して利得を持ちかつベース端子18を有しかつコレクタ13、ベース12、エミッタ11の禁制帯幅がそれぞれEgc、Egb、Ege であるフォトトランジスタ1のコレクタ13と、ダブルヘテロ構造を有しかつnクラッド層13、活性層14、pクラッド層15の禁制帯幅がそれぞれEgcn、Ega、Egcp である発光ダイオード2のカソードが電気的に直列に接続され、かつ光の入出射方向と同一方向に集積化され、かつ光の入出力を同一の光入出射窓21から行い、かつ各層の禁制帯幅が、Ega≧Egb、Egcn>Ega、Egcp>Ega、Ega 請求項（抜粋）：

半導体積層構造からなり、駆動電圧が順方向、逆方向どちらの場合でもベース電流もしくは入力光に対して利得を持ちかつベース端子を有しかつコレクタ、ベース、エミッタの禁制帯幅がそれぞれEgc、Egb、Ege であるフォトトランジスタのコレクタと、ダブルヘテロ構造を有しかつnクラッド層、活性層、pクラッド層の禁制帯幅がそれぞれEgcn、Ega、Egcp である発光ダイオードのカソードが電気的に直列に接続され、かつ光の入出射方向と同一方向に集積化され、かつ光の入出力を同一の光入出射窓から行ない、かつ各層の禁制帯幅が、Ega≧EgbEgcn>EgaEgcp>EgaEga IPC (3件)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-348084
  
• 特開平2-010770
  
• 特開昭2-189817
  
• 特開平4-348084
  
• 特開平2-010770
  
• 特開昭2-189817