特許

J-GLOBAL ID：200903026611416185

半導体プロセスにおける高性能プロセス制御を行うための、動的計測の方法、システム、およびコンピュータプログラム

発明者： アルールクマー ピー.シャンムガサンドラム ,  アレクサンダー ティー.シュワーム
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-505994
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505124
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

計測しようとするウェハ(または、別のデバイス)に関連してサンプリングプランを動的調整するためのシステム、方法および媒体を提供する。サンプリングプランは、処理後に事実上単一チップとなるようなウェハ上の区画であるダイ内の指定した計測点に関する情報を提供している。このダイ内には計測の候補となる指定した点を設けている。記憶してあるダイマップ情報を取り出して変換し、ウェハ上での計測に利用可能な点を決定している。本発明は、製造プロセスまたは製造結果に影響を及ぼす内部または外部の変化を示す可能性が高い1つまたは複数のイベントが発生した場合、計測の頻度および/または空間分解能を調整している。必要に応じて、計測回数の増加やこれに対応する処理の低下が生じる可能性がある。この動的計測プランは、そのウェハに対する別の計測または異なる計測が望ましいことを示唆するようなある種のイベントに応答して、サンプリングプランからの候補点の追加、除去あるいは交換によってサンプリングの空間分解能をウェハ内で調整している。点を追加、除去あるいは交換するエリア内でダイマップ内に多数の候補点が存在する場合、本システムはこれらの点の中から選択することができる。さらに、本発明はウェハ間式計測の頻度の調整に関連して使用することもできる。

請求項（抜粋）：

ある製造プロセスによって製造される少なくとも1つの製品に関する少なくとも1つの製造特性を計測する、コンピュータによって実行される方法であって、 (A)前記少なくとも1つの製品で、前記製造プロセスによって計測される1組の候補点を表す情報を提供するステップと、 (B)前記製造プロセスによって、前記少なくとも1つの製品に対して計測を実行して前記少なくとも1つの製造特性を計測するためのプランを実行するステップであって、前記プランは、前記1組の候補点に応答して実行される計測を規定するステップと、 (C)前記製造プロセスの変更を検出するステップと、 該変更は、前記製造プロセスに新たな材料を受け入れる処理と、該製造プロセス内の障害を検出する処理と、該製造プロセス内の制御パラメータの変化を検出する処理と、および前記少なくとも1つの製品の計測の変動を検出する処理とのうちの少なくとも1つを含み、 (D)前記検出した変更に基づいて、計測を実行するためのプランを調整するステップと を具えたことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L21/02 ,  H01L21/66

FI (2件)：

H01L21/02 Z ,  H01L21/66 Z

Fターム (3件)：

4M106AA01 ,  4M106DJ38 ,  4M106DJ40

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-080200   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社