特許
J-GLOBAL ID：200903026611653527
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069542
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270419
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】エッチング形状制御性とエッチング速度がすぐれたプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】パルス状の電圧と高周波状の電圧波形を重畳し、バイアス電圧として被エッチ物もしくは試料台に印加する。【効果】電子とイオンが十分加速され、エッチング断面形状制御性とエッチング速度が向上す。
請求項（抜粋）：
被エッチ物をエッチングするための真空処理室と、上記真空室内を排気する手段と、処理ガスのプラズマを発生させる手段と、上記真空処理室内に配置されたその上に上記被エッチ物を置くための試料台と、処理ガスのプラズマを用いて上記被エッチ物をエッチングする手段と、上記被エッチ物もしくは上記試料台に、所定のパルス状の電圧と高周波状の電圧の重畳電圧をバイアス電圧として印加する手段を少なくとも具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
