特許

J-GLOBAL ID：200903026616952891

半導体装置

発明者： 南澤 正栄 ,  井上 英俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259167
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、半導体素子のバンプ電極を加熱再溶融して配線基板から半導体素子を引き剥がす際、バンプ材を配線基板側に残存し難くしてバンプ材の除去を容易にすることができ、半導体素子のリペア作業を容易にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子1上に高融点PbSn層2aが形成され、更に該高融点PbSn層2a上に低融点PbSn層2bがコートされてなるバンプ電極2を有し、該半導体素子1の該バンプ電極2と配線基板3の電極4とが接合されてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子(1)上に高融点PbSn層(2a)が形成され、更に該高融点PbSn層(2a)上に低融点PbSn層(2b)がコートされてなるバンプ電極(2)を有し、該半導体素子(1)の該バンプ電極(2)と配線基板(3)の電極(4)とが接合されてなることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/92 B ,  H01L 21/92 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-106057
  
• 特開昭59-188147
  
• 特開昭60-049652