特許

J-GLOBAL ID：200903026625818200

半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 聡 ,  木下 多賀雄 ,  山台 力
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166754
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 深さの異なるコンタクトホール上の平坦化をおこなうこと。【構成】 コンタクトホールの側壁にのみ選択成長の種となる選択成長下地層を積層し、側壁から導電膜を選択成長するようにした。【効果】 下地膜によって成長膜厚が異っても異なる深さのコンタクトホール上の平坦化が可能になる。しかもコンタクトホールの下地が、例えば半導体基板の不純物拡散層であっても導電膜の選択成長時にSiとの反応を抑制して接合リークを引き起こすおそれがなくなる。また、スループットが悪くなるおそれはなくなる。

請求項（抜粋）：

トランジスタの上層配線と下層配線、及び/又はゲート及び半導体基板の不純物拡散層とを導通させるためのコンタクトホールに導電材料を選択的に成長させるに際して、コンタクトホールを含む半導体基板上の全面に、導電材料の成長が可能で導電膜の選択成長の種となる選択成長下地層を積層し、続いて、イオン注入及び熱処理を順次付してコンタクトホールの側壁を除く選択成長下地層の部分を、導電材料の成長を抑制しうる非選択成長下地層に形成し、しかる後、導電材料の選択成長を行ってコンタクトホールを導電膜で埋め込むことからなる半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/90