特許

J-GLOBAL ID：200903026629193086

半導体装置

発明者： 寺西 秀明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036351
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246514
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】裏面の放熱効率を高めた半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板100の第1主面101の表面層に活性領域2を形成し、第2主面の裏面102にトレンチ溝3を形成し、裏面102を凹凸(トレンチ溝が形成された箇所が凹、形成されない箇所が凸)にする。この凹凸した裏面102に、半導体基板100より熱伝導率が大きい材質の放熱薄膜7(放熱用のための薄膜のこと)を凹凸面に沿うように形成する。前記のトレンチ溝3の幅Wと深さLの比、所謂、アスペクト比(L/W)を1以上で、50以下にする。また、トレンチ溝3の幅Wとトレンチ溝3の間隔Dを、それぞれ、1μm以上で100μm以下にする。

請求項（抜粋）：

第1主面の表面層に活性領域を形成した半導体基板の第2主面である裏面に溝を形成し、該裏面を凹凸にし、該凹凸面に沿って、該凹凸した裏面に、前記半導体基板より高い熱伝導率を有する材料の放熱薄膜を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/34 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/04 H

Fターム (15件)：

5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA24 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08 ,  5F036AA01 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD11 ,  5F038BH01 ,  5F038BH16 ,  5F038EZ20