特許

J-GLOBAL ID：200903026634422220

半導体素子シミュレーション方法及び装置

発明者： 青木 伸俊 ,  金村 貴永 ,  天川 博隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068064
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 短時間で1次元シミュレーションを精度良く行う。【構成】 2次元領域から得られる多次元効果による、1次元シミュレーション領域に与える影響力を見積る際の初期物理量を入力する初期値入力部1と、入力された初期物理量を用いて、前記影響力を見積る2次元効果見積り部2と、見積られた影響力と、前記2次元領域と1次元シミュレーション領域との物理的関係とから、1次元シミュレーション領域におけるシミュレーションパラメータの変化量を決定して1次元シミュレーションを実行する1次元シミュレーション実行部3と、1次元シミュレーション結果から、1次元シミュレーション領域上の物理量を決定する物理量決定部4とから構成されている。【効果】 半導体素子の設計効率が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の1次元シミュレーションを行う際に、多次元領域から得られる多次元効果による、1次元シミュレーション領域に与える影響力を初期物理量を用いて見積り、見積られた影響力と、前記多次元領域と1次元シミュレーション領域との物理的関係とから、1次元シミュレーション領域におけるシミュレーションパラメータの変化量を決定し、この変化量を基にして1次元シミュレーションを実行し、1次元シミュレーション領域上の物理量を決定することを特徴とする半導体素子シミュレーション方法。

IPC (3件)：

G06F 15/20 ,  G06F 15/60 450 ,  H01L 29/00