特許

J-GLOBAL ID：200903026634827115

半導体装置の製造方法

発明者： 堀川 貢弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208522
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温で効果的に汚染重金属をゲッタリングできるようにする。ゲッタリングされた汚染重金属元素のデバイス活性層への再拡散を防止する。【解決手段】 半導体装置製造工程中に、汚染重金属元素(Fe)10が混入してpn接合部付近に存在しているものとする。先ず、酸化膜7をスルー膜としてPイオンを注入する(a)。次に、注入イオンの活性化熱処理により汚染重金属元素10をシリコン酸化膜7にゲッタリングする(b)。HCl+O2 の雰囲気で熱処理を施し、汚染重金属の塩化物(FeCl2 )を生成し、これをウェハ外へ除去する。酸化膜7をHF蒸気またはH2 により除去する(c)。その後、n型拡散層5にコンタクトするドープトポリシリコン9を形成する(d)。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板上に設けられた層間絶縁膜に半導体基板上の一領域の表面を露出させる開口を形成し、該開口の底面に注入イオンを透過させるスルー膜を形成する工程と、(2)前記スルー膜を通して一導電型不純物のイオン注入を行う工程と、(3)熱処理を行って前記開口の底面付近の汚染元素を前記スルー膜へゲッタリングする工程と、(4)ハロゲン化性雰囲気中にて熱処理を行ってゲッタリングされた汚染元素をハロゲン化してウェハ外へ除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/322 X ,  H01L 21/322 Q ,  H01L 21/322 R ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F083AD00 ,  5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083GA30 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36