特許

J-GLOBAL ID：200903026638166008

無定形炭素層を含むマスキング構造

発明者： サンドゥ、グルテジ、エス ,  イン、ジピン ,  リ、ウェイミン
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 大橋 邦彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-526248
公開番号（公開出願番号）：特表2007-505498
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

多数層を有するマスキング構造が形成される。そのマスキング構造は、無定形炭素層と該無定形炭素層上に形成されたキャップ層とを含む。無定形炭素層は透明無定形炭素を含む。キャップ層は非酸化物材料を含む。マスキング構造は、半導体装置の製作中、エッチング・プロセスにおけるマスクとして使用可能である。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

装置であって、 基板と、 無定形炭素層及びキャップ層を含んで、前記基板上に形成されたマスキング構造であり、該キャップ層が非酸化物材料を含むことから成るマスキング構造と、 を備える装置。

IPC (7件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (5件)：

H01L21/28 E ,  H01L21/314 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 C ,  H01L27/10 621C

Fターム (48件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD62 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033RR01 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F058BC20 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07