半導体装置、該半導体装置の製造方法、CMP装置、及びCMP方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003708
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196413
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】高集積化された半導体装置のパッド電極の表面酸化を防止し、外部端子との接続強度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】外部電極と接続するためのパッド電極と、該パッド電極に接続された多層配線構造とを備えた半導体装置であって、該パッド電極を覆い、該パッド電極上に開口部を有して該パッド電極の表面を露出させた絶縁膜の一面が、貴金属及び該貴金属を主成分とする金属から選択される1の貴金属材料からなる金属面と接する。

請求項（抜粋）：

外部電極と接続するためのパッド電極と、該パッド電極に接続された多層配線構造とを備えた半導体装置であって、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層に埋め込まれ、多層配線層と該多層配線層間を接続するヴィアホールとからなる多層配線構造と、該多層配線構造と接続されたパッド電極と、該パッド電極を覆い、該パッド電極上に開口部を有して該パッド電極の表面を露出させた絶縁膜と、を備え、該絶縁膜の一面が、貴金属及び該貴金属を主成分とする金属から選択される1の貴金属材料からなる金属面と接することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/88 T

Fターム (69件)：

5F033HH07 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK10 , 5F033KK12 , 5F033KK13 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN34 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ14 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR22 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033XX01 , 5F033XX17 , 5F033XX20 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE08 , 5F044EE21

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