特許

J-GLOBAL ID：200903026640350185

受光素子及びそれを備える光半導体装置

発明者： 西村 晋 ,  本多 正治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385598
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185069
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【目的】 素子配置用電極を備える受光素子の出力特性を良好に維持する。また、素子配置用電極の放熱特性を改善する。【構成】 上面に発光素子配置用の電極10と受光領域4を備える受光素子1であって、前記素子配置用電極10と前記受光領域4が平面的に重なっていることを特徴とする。また、端面に発光点を有する発光素子18を受光素子1上面の受光領域4に隣接して配置した光半導体装置において、前記発光素子1をその発光点18bが前記受光領域4と平面的に重なるように配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

上面に発光素子配置用の電極と受光領域を備える受光素子であって、前記素子配置用電極と前記受光領域が平面的に重なっていることを特徴とする受光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/022 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/12

FI (4件)：

H01S 5/022 ,  H01L 27/15 D ,  H01L 31/12 H ,  H01L 27/14 J

Fターム (23件)：

4M118AA09 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118FC03 ,  4M118FC15 ,  4M118FC18 ,  5F073BA01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27 ,  5F073FA30 ,  5F089AA01 ,  5F089AB13 ,  5F089AC02 ,  5F089AC10 ,  5F089CA15 ,  5F089CA20 ,  5F089CA21