特許
J-GLOBAL ID:200903026644985703

インテリジェントパワーモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-191109
公開番号(公開出願番号):特開2003-009509
出願日: 2001年06月25日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】【課題】 比較的簡単な構成で、信頼性の高いインテリジェントパワーモジュールを提供する。【解決手段】 所定の電力半導体素子に該半導体素子保護用の回路が組み込まれてなる電力制御用インテリジェントパワーモジュールにおいて、それぞれエミッタからコレクタへ順方向をなすように接続されるダイオードを備え、互いに並列に接続された少なくとも一対の電力半導体素子と、上記各半導体素子に対応して設けられ、該半導体素子のエミッタ側に接続されるシャント抵抗を備えた半導体素子電流検出用の回路構成と、上記各電流検出用の回路構成により検出される電流値を合成した上で、モジュール外部の制御回路へ出力する合成部とを設ける。
請求項(抜粋):
所定の電力半導体素子に該半導体素子保護用の回路が組み込まれてなる電力制御用インテリジェントパワーモジュールにおいて、それぞれエミッタからコレクタへ順方向をなすように接続されるダイオードを備え、互いに並列に接続された少なくとも一対の電力半導体素子と、上記各半導体素子に対応して設けられ、該半導体素子のエミッタ側に接続されるシャント抵抗を備えた半導体素子電流検出用の回路構成と、上記各電流検出用の回路構成により検出される電流値を合成した上で、モジュール外部の制御回路へ出力する合成部とを有していることを特徴とすることを特徴とするインテリジェントパワーモジュール。
IPC (5件):
H02M 1/00 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/537 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/08
FI (6件):
H02M 1/00 H ,  H02M 1/00 R ,  H02M 7/48 M ,  H02M 7/537 C ,  H02M 7/5387 Z ,  H03K 17/08 Z
Fターム (36件):
5H007AA12 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007FA03 ,  5H007FA06 ,  5H007FA13 ,  5H740BA13 ,  5H740BB05 ,  5H740MM08 ,  5H740MM12 ,  5J055AX15 ,  5J055AX32 ,  5J055AX37 ,  5J055AX44 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055DX59 ,  5J055DX84 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EZ08 ,  5J055EZ09 ,  5J055EZ20 ,  5J055EZ23 ,  5J055EZ24 ,  5J055EZ61 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX18 ,  5J055FX32 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04

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