特許

J-GLOBAL ID：200903026645736022

半導体装置の製造方法及び半導体装置。

発明者： 赤坂 泰志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-167361
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347631
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 絶縁性物質と導電性物質が混在する試料基板の絶縁性物質上にのみ、選択的に、金属又は金属化合物の膜を形成する。【解決手段】 導電性物質と絶縁性物質とが混在する試料基板に金属を含む膜を成膜する成膜方法において、まず、導電性物質上に、有機化合物を吸着させる。次に、絶縁性物質上に、金属を含む有機金属化合物を吸着させる。そして、導電性物質上に吸着した有機化合物を脱離させ、かつ、有機金属化合物を還元して金属を含む膜を析出する還元剤を供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の領域と第2の領域とを有する基板に、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、 前記ゲート絶縁膜上に、シリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、 前記第1の領域の前記シリコン膜上に、第1の金属からなる第1の金属膜を形成する第1の金属膜形成工程と、 シリコンと反応して化合物を形成する場合のシリコン1mol当りの生成熱が、前記第1の金属とシリコンとの反応におけるシリコン1mol当りの生成熱の絶対値よりも小さくなる第2の金属からなる第2の金属膜を、前記第1の金属膜上と前記第2の領域の前記シリコン膜上とに形成する第2の金属膜形成工程と、 前記第1の領域における前記シリコン膜と、前記第1の金属膜とを反応させて、前記第1の金属のシリサイドを形成する第1のシリサイド化工程と、 前記第2の領域における前記シリコン膜と、前記第2の金属膜とを反応させて、前記第2の金属のシリサイドを形成する第2のシリサイド化工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (3件)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G

Fターム (34件)：

4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG10 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF11 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30