特許

J-GLOBAL ID：200903026662375599

半導体ウエーハの製造方法及び研磨装置

発明者： 津田 修平
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287797
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110767
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 デバイス形成層の層厚均一性及びマイクロラフネスに優れ、且つダメージの少ない半導体ウエーハを製造する。【解決手段】 通常の鏡面研磨ウエーハの表面をプラズマエッチング装置により超高精度に平坦化加工する。平坦化加工で悪化したウエーハ表面のマイクロラフネスを通常の鏡面研磨ウエーハと同等以上に回復させるために、ウエーハ表面を微小研磨する。微小研磨で研磨液及び/又はウエーハを加熱する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの表面を超高精度に平坦化して、デバイス形成層の層厚均一性を通常の鏡面研磨ウエーハより向上させる工程と、超高精度に平坦化されたウエーハ表面を微小研磨して、その表面のマイクロラフネスを通常の鏡面研磨ウエーハと同等以上に回復させるタッチポリッシュの工程とを含み、タッチポリッシュの工程で、研磨液及び/又はウエーハを加熱することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 W ,  B24B 37/00 J ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 S

Fターム (16件)：

3C058AA07 ,  3C058BA02 ,  3C058BA08 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  5F004AA11 ,  5F004AA16 ,  5F043BB30 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10