半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259574
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 AlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsクラッド層を有する高性能のリッジ型半導体レーザ装置を容易に再現性よく製造できる半導体レーザの製造方法を得る。【構成】クラッド層としてAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsを、エッチング阻止層としてAlAs組成比が0.6より大きいAlGaAsを用い、有機酸と過酸化水素からなるエッチング液を用いてクラッド層を選択エッチングしてリッジ成形を行うようにした。

請求項（抜粋）：

活性層上に設けられた上側クラッド層の一部をエッチング除去して形成した、共振器長方向にのびるストライプ状のリッジを有する半導体レーザ装置において、第1導電型基板と、該基板上に配置された第1導電型下側クラッド層と、該下側クラッド層上に配置された活性層と、該活性層上に配置されたAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsからなる第2導電型第1上側クラッド層と、該第1上側クラッド層上に配置されたAlAs組成比が0.6より大きいAlGaAsからなるエッチング阻止層と、該エッチング阻止層上に配置されたAlAs組成比が0.38〜0.6のAlGaAsからなる第2導電型第2上側クラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

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