特許
J-GLOBAL ID:200903026667814841

ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-164448
公開番号(公開出願番号):特開平5-017291
出願日: 1991年07月04日
公開日(公表日): 1993年01月26日
要約:
【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜堆積用基板表面に存在する不純物や酸化膜を除去し清浄化を図ることによって、より改善された結晶性のダイヤモンド薄膜の堆積を可能にするためのダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法を提供する。【構成】 真空槽102内に導入した水素ガスに、電磁石110により磁界を印加し、マイクロ波発振器108からの電磁波を作用させて生じた水素ラジカルないしイオンを含む雰囲気にダイヤモンド薄膜堆積用基板を晒す。
請求項(抜粋):
真空槽内で、ダイヤモンド薄膜堆積用基板を水素ラジカルないしは水素イオンを含む雰囲気に晒すことからなるダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法。
IPC (3件):
C30B 29/04 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-146619
  • 特開平2-263791
  • 特開平1-239092
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