特許
J-GLOBAL ID：200903026668818620
エレクトロマイグレーション評価回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182846
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026535
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 歪みが少なく、従来に比し高い周波数の電流パルスを被評価素子に対して与えることができるエレクトロマイグレーション評価回路を提供する。【解決手段】 被評価素子1の各端部に対し各々を電源6,7に接続するためのトランジスタ2,3と接地電源8,9に接続するためのトランジスタ4,5を設け、パルスジェネレータ10からの出力パルスによって各トランジスタのオン/オフ切り換えを行うことにより、被評価素子1の各端部の一方を電源6または接地電源8に交互に接続し、これとは逆に各端部の他方を接地電源9または電源7に交互に接続するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の金属配線または金属配線を他の部分と接続するためのスルーホールにより構成された被評価素子のエレクトロマイグレーション耐量を評価する回路において、一定周期で発生するパルスに同期し、前記被評価素子の一端を電源または接地電源に交互に接続する第1のスイッチ手段と、前記パルスに同期し、前記被評価素子の他端を電源または接地電源に交互に接続する手段であって、前記被評価素子の一端が前記第1のスイッチ手段によって前記電源に接続されるときには前記被評価素子の他端を接地電源に接続し、前記被評価素子の一端が前記第1のスイッチ手段によって前記接地電源に接続されるときには前記被評価素子の他端を電源に接続する第2のスイッチ手段とを半導体基板上に形成してなることを特徴とするエレクトロマイグレーション評価回路。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01L 21/3205
H01L 21/66 V
, H01L 21/88 Z
