特許
J-GLOBAL ID：200903026669229245
トンネル接合面発光レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134835
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗で吸収ロスの少ないトンネル接合を形成し、低抵抗で、かつ低閾値のトンネル接合面発光レーザを提供する。【解決手段】 図はトンネル接合部112のバンド構造図を示したものである。トンネル接合を有する面発光レーザにおいて、当該トンネル接合112がp型の導電性を有する第1の半導体層112aとn型の導電性を有する第2の半導体層112bから構成され、第1の半導体層112aと第2の半導体層112bの吸収端波長205、206が前記面発光レーザの発振波長より短く、かつ前記第1の半導体層112aと第2の半導体層112bにより形成されるヘテロ接合界面がタイプIIのヘテロ接合界面を形成しており、前記第1の半導体層112aの伝導帯の下端エネルギー準位205が、前記第2の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位206よりも高いことを特徴とするトンネル接合面発光レーザ。
請求項（抜粋）：
トンネル接合を有する面発光レーザにおいて、当該トンネル接合が少なくとも、p型の導電性を有する第1の半導体層とn型の導電性を有する第2の半導体層から構成され、当該第1の半導体層と第2の半導体層の吸収端波長が前記面発光レーザの発振波長より短く、かつ前記第1の半導体層と第2の半導体層により形成されるヘテロ接合界面がタイプIIのヘテロ接合界面を有し、前記第1の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位が、前記第2の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位よりも高いことを特徴とするトンネル接合面発光レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA21
, 5F073EA23
, 5F073EA28
