半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007304
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208702
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】薄型半導体を積層するとき、薄型にしたデバイスを転写するハンドリングが必要であり、多数の層を積層する時、工数が増大する課題があった。【解決手段】シリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハに一層または複数層積層したデバイス同士の表面または裏面を接合して、一方または両方の基板シリコン層を除去することにより、倍の層数の3次元デバイスを形成する。これをn回繰り返すことによって、少ない工数で2のn乗の薄型積層3次元デバイスを得る。

請求項（抜粋）：

第1の薄型半導体の表面の電極と第2の薄型半導体の表面の電極が対向して接続され、第1の薄型半導体の裏面には表面の電極と等電位の別の電極が取り出され、第2の薄型半導体の裏面には表面の電極と等電位の別の電極が取り出されていることを特徴とする積層型の半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/00 301 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 27/00 301 B , H01L 25/08 B

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