特許

J-GLOBAL ID：200903026673568364

プラズマ処理装置

発明者： 久保田 紳治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275092
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置の内部クリーニング作業を容易化すると共に、装置内の温度条件を安定化する。【解決手段】 プラズマ処理装置は処理対象となるウェーハ4が格納されるチャンバ1と、チャンバ1の内部を排気するターボ分子ポンプ2及びドライポンプ3と、チャンバ1の内部に導入される処理用ガスをプラズマ化してウェーハ4に照射し所望の処理を行なう一対の下部電極5及び上部電極7とを備えている。保護壁部材12がチャンバ1の内壁に沿って所定の空隙を介して交換可能に取り付けられており、クリーニング作業を容易化している。又、ガス供給管13を介して空隙に冷却用ガスを導入してチャンバ1内に発生した熱に起因する保護壁部材12の表面温度上昇を抑制する事で、プラズマ処理の安定化を図っている。

請求項（抜粋）：

処理対象となる基板が格納されるチャンバと、該チャンバの内部を排気するポンプと、該チャンバの内部に導入される処理用ガスをプラズマ化して該基板に照射し所望の処理を行なう電極手段とを備えたプラズマ処理装置であって、該チャンバの内壁に沿って所定の空隙を介して交換可能に取り付けられた保護壁部材と、該空隙に冷却用ガスを導入して該チャンバ内に発生した熱に起因する保護壁部材の表面温度上昇を抑制する冷却手段とを有する事を特徴とするプラズマ処理装置。