特許

J-GLOBAL ID：200903026680883399

薄膜集積回路の製造方法

発明者： 浅井 市郎 ,  広田 匡紀
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 山田 正紀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272565
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139016
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】ガラス基板を用いて、良好な特性を持つ薄膜集積回路を低コストで製造することのできる薄膜集積回路の製造方法を提供する。【構成】絶縁性基板上もしくは絶縁膜上に薄膜集積回路を形成する、薄膜集積回路の製造方法において、所定の被処理領域上に、所定のパルスレーザ光に対し光吸収性を有する光吸収膜を形成し、光吸収膜に所定のパルスレーザ光を照射することにより、被処理領域を熱処理する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上もしくは絶縁膜上に薄膜集積回路を形成する、薄膜集積回路の製造方法において、所定の被処理領域上に、所定のパルスレーザ光に対し光吸収性を有する光吸収膜を形成し、該光吸収膜に前記所定のパルスレーザ光を照射することにより、前記被処理領域を熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜集積回路の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-048410
  
• 特開昭61-145819
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331864   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-025913