特許
J-GLOBAL ID：200903026683717368
オーミック電極およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078974
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267887
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 GaAs系半導体などに対する実用的に満足しうる特性を有するオーミック電極を実現する。【構成】 n+ 型GaAs基板1上に、このn+ 型GaAs基板1より再成長したn++型再成長GaAs層2、InGaAs層3およびNiGe薄膜4が順次積層された構造のオーミック電極を形成する。このオーミック電極は、n+ 型GaAs基板1上にNi薄膜、In薄膜およびGe薄膜を順次形成し、これらの薄膜をオーミック電極の形状にパターニングした後、400〜800°Cの温度で数秒〜数分間熱処理を行うことにより形成することができる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基体より再成長した、上記III-V族化合物半導体基体よりも高不純物濃度の再成長III-V族化合物半導体層と、上記再成長III-V族化合物半導体層上に形成された半導体層と、上記半導体層上に形成された、金属または金属間化合物から成る薄膜とを有し、上記半導体層と上記金属または金属間化合物から成る薄膜との間のエネルギー障壁の高さは上記再成長III-V族化合物半導体層と上記金属または金属間化合物から成る薄膜との間のエネルギー障壁の高さよりも低いことを特徴とするオーミック電極。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/46
