特許

J-GLOBAL ID：200903026687779236

Ni系電源用低損失フェライト

発明者： 中川 恵美 ,  上田 等 ,  内川 晃夫
出願人/特許権者： 日立フェライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072498
公開番号（公開出願番号）：特開平7-257966
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】 抵抗率の高いNi系フェライトにて、損失(コアロス)が小さく、スイッチング電源等のトランスとして使用できるフェライト材料を提供する。【構成】 Fe2O3 40〜52.5mol%、NiO 5〜47.5mol%、ZnO 35mol%以下から成る組成を主成分とし、焼結体中のPの含有量が66ppm未満であり、焼成密度が5.1×103kg/m3以上で結晶粒径が10μm以下であるNi系電源用低損失フェライト。

請求項（抜粋）：

Fe2O3 40〜52.5mol%、NiO 5〜47.5mol%、ZnO 35mol%以下から成る組成を主成分とし、焼結体中のPの含有量が66ppm未満であり、かつ焼成密度が5.1×103kg/m3以上で結晶粒径が10μm以下であることを特徴とするNi系電源用低損失フェライト。

IPC (3件)：

C04B 35/30 ,  C01G 49/00 ,  H01F 1/34

FI (2件)：

C04B 35/30 Z ,  H01F 1/34 A