特許
J-GLOBAL ID：200903026690767230
非可逆回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091011
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297607
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 各ポート電極間の分布容量を同等にでき、ひいては電気的特性の高性能化に対応でき、また整合用回路素子を不要にして小型化,軽量化,及び低価格化に貢献できる非可逆回路素子を提供する。【構成】 複数の中心電極14a〜14c,15a〜15c,16a〜16cを絶縁層17を介在させて交互に積層し、かつ中心電極同士を電気的に接続して第1〜第3ポート電極部6〜8を形成し、該各ポート電極部6〜8を所定角度ごとに交差させて配置し、該各ポート電極部6〜8の交差部分にフェライト9,10を当接するとともに直流磁界を印加してアイソレータ5(非可逆回路素子)を構成する場合に、上記第1ポート電極部6の外側に位置する中心電極14aを上記第3ポート電極部8の外側に隣接するよう配置し、上記第3ポート電極部8の外側に位置する中心電極16cを上記第1ポート電極部6の外側に隣接するよう配置する。この差し替え配置した両中心電極14a,16cとこれに隣接する上記第1,第3ポート電極部6,8との距離Tを他の中心電極間距離tより大きくする。
請求項（抜粋）：
複数の中心電極を絶縁層を介在させて交互に積層し、かつ中心電極同士を電気的に接続してなる第1〜第3ポート電極部を所定角度ごとに交差させて配置し、該各ポート電極部の交差部分にフェライトを当接するとともに直流磁界を印加するようにした非可逆回路素子において、上記第1ポート電極部の外側に位置する中心電極を上記第3ポート電極部の外側に隣接するよう配置し、該第3ポート電極部の外側に位置する中心電極を上記第1ポート電極部の外側に隣接するよう配置し、この差し替え配置した両中心電極と該中心電極に隣接する上記第1,第3ポート電極部との距離を他の中心電極間距離より大きくしたことを特徴とする非可逆回路素子。
IPC (2件)：
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