特許

J-GLOBAL ID：200903026694705337

チタン酸ビスマス強誘電体膜

発明者： 山田 直樹 ,  増子 哲史 ,  小野沢 和久
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216026
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044240
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 比較的融点が低く、室温で液体またはわずかな加温で液化し取り扱い易く、また昇華ではなく蒸発によって気化が可能で、成膜室への原料の供給量の制御が容易であり、さらに、熱安定性や分解速度が特にCVD原料に好適なビスマス化合物を用いてなるチタン酸ビスマス強誘電体膜を提供すること。【解決手段】 本発明のチタン酸ビスマス強誘電体膜は、下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を原料として用いてなるものである。【化1】

請求項（抜粋）：

下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を原料として用いてなることを特徴とするチタン酸ビスマス強誘電体膜。【化1】

IPC (2件)：

C01G 23/00 ,  C01G 29/00

FI (2件)：

C01G 23/00 C ,  C01G 29/00

Fターム (11件)：

4G047CA05 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD10 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08