特許
J-GLOBAL ID：200903026695048763
酸化物薄膜構造物および薄膜の製造方法並びに圧電センサー・アクチュエータ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337262
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181369
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】有機物の上に白金層を堆積させたのち、さらに酸化物薄膜を形成することにより、圧電素子等の応用しやすい構成とすることができ、かつ紫外線レーザを用いることにより、熱に弱い基板上においても安定に酸化物薄膜を形成する製造法を提供する。【解決手段】イオンビームスパッタ機構に、エキシマレーザによる紫外線レーザ光の照射機構を併設させ、10Hzの繰り返し周波数で、約100mJ/cm2のパルスレーザ光を薄膜堆積時に照射する。酸化物薄膜として圧電性を有する厚さ3μmのPbTiO3薄膜6を、厚さ0.1μmの白金層9を設けた50μm厚さのポリイミドフィルム8の上に形成する。堆積時にはXeClガスを用いたエキシマレーザの紫外線照射を行い、室温雰囲気下で薄膜6を形成する。エキシマレーザの波長は308nm、パルス光は1秒間に10回の照射である。
請求項（抜粋）：
有機物基板の表面に形成した白金層、および前記白金層の上に形成した酸化物薄膜を備えた酸化物薄膜構造物。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 41/18
, H01L 41/22
H01L 41/08 C
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA W
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/22 Z
