特許

J-GLOBAL ID：200903026697078309

ナノFinトンネリング・トランジスタ

発明者： フォーブス,レオナルド
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-504239
公開番号（公開出願番号）：特表2009-532905
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

本明細書では、フォトリソグラフィ基準寸法未満の巾を持つトランジスタボディを囲うゲートを具えた、垂直トンネリング・トランジスタを開示する。こうしたサラウンディングゲートを具えた薄型トンネリング・トランジスタを使って、閾値下漏洩を少なくできる。種々の実施形態群では、基板上に形成した非晶質構造体から結晶質ナノFinを成長させるか、結晶質基板をエッチングして結晶質基板から結晶質ナノFinを劃定するようにするか、あるいは、基板上に形成した非晶質構造体から結晶質ナノワイヤを成長させるか、のいずれかの手法により、リソグラフィ基準寸法以下の基板を得る。他の態様群および実施形態群についても本明細書に開示してある。

請求項（抜粋）：

第一の方向についてリソグラフィ基準寸法以下である断面巾を有し、且つ前記第一の方向に直交する第二の方向について最小フィーチャ寸法に対応する断面巾を有する、ナノFinと、 前記ナノFinの周りに在る、サラウンディングゲート絶縁体と、 前記ナノFinの周りに前記サラウンディングゲート絶縁体を間に挟んで在る、サラウンディングゲートと、 前記ナノFinの底端に在る第一の導電型を持つ第一のソース/ドレイン領域、および、前記ナノFinの頂端に在る第二の導電型を持つ第二のソース/ドレイン領域と を含み、ここで、 前記第一のソース/ドレイン領域および前記第二のソース/ドレイン領域が、前記第一のソース/ドレイン領域と前記第二のソース/ドレイン領域との間を垂直方向に走るチャネル領域を劃定する ことを特徴とする、トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/66

FI (8件)：

H01L29/78 301J ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 653B ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321A ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 321G ,  H01L29/66 T

Fターム (37件)：

5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB20 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BF07 ,  5F048CB07 ,  5F140AA02 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC12 ,  5F140AC23 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20