特許

J-GLOBAL ID：200903026697754851

半導体装置およびその製造方法

発明者： 森川 隆史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137057
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321044
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 SOG膜からの放出ガス防止のコンタクトホール側壁のサイドウォール絶縁膜を用いずに、SOG膜による平坦化技術を用いた多層配線構成の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1層配線12と上層の配線となる第2層配線18とを接続するコンタクトホールの開口16および疑似コンタクトホールの開口27、28を形成した後に、真空加熱による脱ガス処理を行い、その後に上層の配線となる金属配線膜を堆積し、パターニングして第2層配線18を形成する。【効果】 サイドウォール絶縁膜を形成せずに、コンタクト抵抗増加や信頼性劣化のない半導体装置の作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

SOG膜による平坦化技術を用いる多層配線構造の半導体装置において、下層配線と上層配線とを接続するコンタクトホールの近傍で、前記下層配線と前記上層配線とが形成されない領域に複数個の疑似コンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/95