特許
J-GLOBAL ID：200903026698510255
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218189
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055171
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ処理装置において給電効率を高めて加工処理速度を向上させ、かつ加工状態がばらつくのを抑制する。【構成】 アノード電極21にその下部電極23を貫通する端子収容部25を設ける。高周波電源14に接続されたRF給電端子8を、端子収容部25に挿入して上部電極22に接続した。アノード電極21における上部電極22と下部電極23との合わせ面が給電経路から外れる。給電経路中の接触抵抗を最小限にすることができ、給電効率が向上するから、プラズマ密度が減少したり、処理能力が低下するのを可及的抑えることができる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバー内に反応ガスを供給し、この真空チャンバー内のカソード電極と、このカソード電極と対向する半導体基板支持用表側部材および裏側部材とで2分割形成されかつ内部に温調用媒体が供給される中空部が設けられたアノード電極とに高周波電源を印加することによってプラズマを発生させ、このプラズマによってアノード電極上の半導体基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、高周波電源を、アノード電極における半導体基板支持用表側部材とカソード電極とに印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, H01L 21/31
, H05H 1/46
