半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299699
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114287
出願日： 1991年10月19日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】比較的簡単な構成により任意のエリアに対して高速にシリアルアクセスを行う機能を持つ半導体記憶装置を提供する。【構成】メモリセルがマトリックス配置されたメモリアレイとパラレルにデータの出力又は入力を行うシリアルアクセス記憶部とを含み、このシリアルアクセス記憶部に対するシリアルデータの出力又は入力動作において任意のスタートアドレスとストップアドレスの指定を行うようにする。【効果】スタートとストップの両アドレスの指定により任意のエリアを高速にアクセスすることができるからその画像データの高速加工処理が可能になる。

請求項（抜粋）：

メモリセルがマトリックス配置されたメモリアレイと、このメモリアレイとパラレルにデータの出力又は入力を行うシリアルアクセス記憶部と、このシリアルアクセス記憶部からのシリアルデータの出力又は入力動作において任意のスタートアドレスとストップアドレスの指定を行う制御回路とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/409 , G09G 5/00 , G11C 11/41 , H01L 27/10 481

FI (2件)：

G11C 11/34 354 A , G11C 11/34 K

前のページに戻る