特許

J-GLOBAL ID：200903026706998467

光増幅装置及びそれを用いた半導体レーザ装置,並びにそれらの駆動方法

発明者： 玉貫 岳正 ,  佐々木 達也 ,  北村 光弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-329138
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186330
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 電気的にビーム偏向の制御が可能であると共に、大出力光が得られる光増幅装置を提供すること。【構成】 この光増幅装置は、n型基板1の一面上にそれぞれ積層形成された光ガイド層33,n型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4,p+ 型コンタクト層5,及び誘電体層6を含むと共に、n型基板1の他面上に形成されたn側電極9を含んでいる。誘電体層6には表面に露出するように2本のp側電極8がテーパ状に形成されており、各p側電極8はそれらの間に光の進行方向に沿って電気的な分離領域が形成されるように分割配置されている。光増幅装置を駆動する場合、各p側電極8に供給する注入電流を各p側電極8毎に変化させて注入電流密度を制御することで注入電流密度を空間的に変化させる。これにより、レーザ共振器としての屈折率が空間毎に変化され、出射光ビームが偏向される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた光ガイド層を含むと共に、表面に複数の電極がテーパ状に形成されて成る進行波型の光増幅装置であって、前記複数の電極は、それぞれの相互間に光の進行方向に沿って電気的な分離領域を成すように分割配置されたことを特徴とする光増幅装置。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/295 ,  H01S 3/096 ,  H01S 3/103

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-293683
  
• 特開平1-293683
  
• 光増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-128806   出願人：東京工業大学長
• 特開平2-076133