特許

J-GLOBAL ID：200903026709023165

プラスチックパッケージ及びその製造方法

発明者： 藤 信男 ,  鹿野 正人 ,  葛西 毅
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187655
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009208
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子実装時のワイヤボンディングのワイヤが短絡するのを防止し、配線パターンの高密度化ができるプラスチックパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 プラスチック回路基板11の中央部に空間13が形成され、片面に金属製のヒートシンク12が接着されて、空間13のヒートシンク12の露出面に半導体素子15が搭載されるキャビティ14が形成されるプラスチックパッケージ10において、キャビティ14を形成するプラスチック回路基板11の壁面28は銅又は銅合金層16で覆われており、銅又は銅合金層16の粗化された面上は樹脂層17で被覆されている。

請求項（抜粋）：

プラスチック回路基板の中央部に空間が形成され、片面に金属製のヒートシンクが接着されて、前記空間の該ヒートシンクの露出面に半導体素子が搭載されるキャビティが形成されるプラスチックパッケージにおいて、前記キャビティを形成する前記プラスチック回路基板の壁面は銅又は銅合金層で覆われており、該銅又は銅合金層の粗化された面上は樹脂層で被覆されていることを特徴とするプラスチックパッケージ。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 23/12 501 V ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 23/36 C

Fターム (8件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DB02 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC05 ,  5F036BE01