特許
J-GLOBAL ID：200903026712171965
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215589
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】半導体メモリの構成に関し、特に、不揮発性メモリの持つアクセス回数制限を緩和することの可能な構成を持つ半導体メモリを提供する。【構成】不揮発性メモリ1の内容の一部を予め揮発性メモリ2にコピーしておく。アクセス要求アドレスに対応するビットが揮発性メモリ2にある時には、揮発性メモリ2と外部との間で情報の授受を行う。そうでない時には、不揮発性メモリ1と揮発性メモリ2との間で情報の入れ換えを行い、次いで揮発性メモリ2と外部との間で情報の授受を行う。【効果】不揮発性メモリへのアクセス回数が低減されるので、不揮発性メモリの持つアクセス回数制限を緩和し、メモリ寿命を延ばす効果がある。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリと、揮発性メモリとを有し、上記揮発性メモリに上記不揮発性メモリの少なくとも一部の記憶内容を予め複製して用い、外部への情報の入出力を主に上記揮発性メモリから行うことを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 310
