特許

J-GLOBAL ID：200903026714091888

圧電素子の位置決め方法及び位置決め精度確認方法

発明者： 小林 裕忠
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136312
公開番号（公開出願番号）：特開平9-250907
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、参照面の変位量と圧電素子の印加電圧との関係を複数個の干渉縞画像強度の測定値から求め、精度の良い圧電素子の位置決め方法を提供する。【解決手段】 被測定面7と参照面4との位相差をPZT素子5によりシフトさせ、位相のずれた複数枚の干渉縞画像から被測定面7の形状を算出する位相シフト干渉法によるPZT素子5の位置決め方法において、PZT素子5に基準電圧及びこの基準電圧に微小電圧を印加したときのある点(x,y)における干渉縞強度値の値の関係から前記PZT素子5に印加する電圧に対する位相の変化率を求め、この変化率を用いてPZT素子5の実際の位置決めを行うものである。

請求項（抜粋）：

被測定面と参照面との位相差を圧電素子によりシフトさせ、位相のずれた複数枚の干渉縞画像から被測定面の形状を算出する位相シフト干渉法による圧電素子の位置決め方法において、圧電素子に基準電圧及びこの基準電圧に微少電圧を印加したときのある点(x,y)における干渉縞強度値の値の関係から前記圧電素子に印加する電圧に対する位相の変化率を求め、この変化率を用いて前記圧電素子の実際の位置決めを行うこと、を特徴とする圧電素子の位置決め方法。

IPC (3件)：

G01B 11/00 ,  G01B 9/02 ,  H01L 41/09

FI (3件)：

G01B 11/00 G ,  G01B 9/02 ,  H01L 41/08 K