特許
J-GLOBAL ID：200903026716475098
半導体装置およびその製造方法ならびに実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324267
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163230
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 放熱効果を高めることができる半導体装置およびその製造方法ならびに実装構造を提供する。【解決手段】 ロジックLSI、プロセッサLSIなどの多ピン、ハイパワーのBGAパッケージ1であって、半導体チップ2、半導体チップ2が配置される開孔部を有するパッケージ基板3、半導体チップ2およびパッケージ基板3の裏面が接触される熱伝導部材4、半導体チップ2とパッケージ基板3とのパッドを接続するワイヤ5、パッケージ基板3のパッドに接続されるバンプ6から構成され、電源用のスルーホール12aがパッケージ基板3の表面から裏面に貫通して一方は熱伝導部材4、他方はバンプ6に接触され、半導体チップ2から発生した熱が熱伝導部材4から大気中への経路と、熱伝導部材4からパッケージ基板3内のスルーホール12a、バンプ6を介して実装基板7への経路とで拡散される。
請求項（抜粋）：
半導体チップがパッケージ基板の開孔部にフェースダウン構造で配置され、前記半導体チップの裏面および前記パッケージ基板の裏面が熱伝導部材に接触され、かつ前記半導体チップ上のボンディングパッドと前記パッケージ基板上の外部端子とが電気的に接続される半導体装置であって、前記パッケージ基板に前記熱伝導部材と前記外部端子とに接触する放熱用のスルーホールが設けられ、この放熱用のスルーホール内に熱伝導材料が充填されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/34 A
, H01L 23/12 L
