特許

J-GLOBAL ID：200903026718281258

微細パターン形成方法

発明者： 冨岡 安 ,  谷口 彬雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-279982
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129637
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 分子レベルの細線パターンを形成することのできる方法および装置を提供すること。【解決手段】 走査型プローブ顕微鏡の走査用の導電性の探針1と所望の微細パターン形成素材の薄膜2を付着させた平坦性の高い基板3から構成され、上記探針と薄膜または基板の間隔がトンネル電流が検出できるような近距離になるように配置し、上記パターン形成素材の酸化電位または還元電位に相当する電圧で電流を印加しながら上記探針を掃引することにより、所望の分子レベルの高分子から成る微細なパターン4を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくともその表面が導電性を持つ基板表面上に所望の微細パターン形成素材を付着させ、走査型プローブ顕微鏡の導電性探針をパターン形成したい位置の直上に移動させ、該探針と該基板の間に電流を流しながら走査することにより該形成素材に所望の微細パターンを形成することを特徴とする微細パターン形成方法。