特許

J-GLOBAL ID：200903026719056584

半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ

発明者： 宮嶋 孝夫 ,  ヤン ル ベレゴ ,  河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078060
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012924
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 GaNのエピタキシャル成長を、基板とすぐれた整合性をもって行うことができた半導体積層構造を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板1上に、少なくとも1層以上のGaN系化合物半導体層を形成してなる半導体積層構造であって、その基板1の主面が(111)、または(110)、あるいは(001)結晶面よりなる構成とする。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト構造を有する基板上に、少なくとも1層以上のAl,B,Ga,Inのうちの1元素以上とNとを含む化合物半導体層を形成してなる半導体積層構造であって、上記基板の主面が(111)、または(110)、あるいは(001)結晶面よりなることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18 ,  C30B 23/08

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18 ,  C30B 23/08 M