特許
J-GLOBAL ID：200903026719249781
露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120144
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326563
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 高精度、高速に最適露光条件を算出できるとともに、露光装置のセットアップタイムを短縮できる露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置の提供。【構成】 少なくとも限界解像度の間隔を持ち対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンと、限界解像度の約2倍の間隔を持ち対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンとの2組からなる露光条件評価用パターンを、レチクル上の回路を形成しないところに配置し、該レチクルを用いて露光したウエハについて、露光された対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンの間隔を測定し、その差より最適露光量を、その平均値より最適露光焦点面をそれぞれ算出し、該算出値を露光装置にフィードバックして露光装置のオフセット量を、簡易、かつ高速に測定可能にして、露光装置の安定化を可能にした露光条件評価方法および装置。
請求項（抜粋）：
レチクル上の回路パターンを感光基板上に投影露光する露光装置における露光条件評価用のパターンにおいて、前記露光装置の限界解像度のパターン幅を有してそれぞれ対向配置された直線図形からなる凹パターンおよび凸パターンと、前記露光装置の限界解像度のほぼ2倍のパターン幅を有してそれぞれ対向配置された前記図形と同図形の凹パターンおよび凸パターンとの2組からなることを特徴とする露光条件評価用パターン。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03B 27/32
, G03F 7/20 521
, G21K 5/02
, H01L 21/66
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 502 V
