特許

J-GLOBAL ID：200903026720650449

半導体素子の作製方法

発明者： 仲沢 美佐子 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338752
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156054
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。【解決手段】 バッファードフッ酸水溶液に16〜30体積%(好ましくは20〜22体積%)のエチレングリコールを添加したエッチャントを用いることでアルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。これによりアルミニウム膜からなる配線と他の配線との良好な電気的導通を確保する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを主成分とする材料からなる配線上に形成されたアルミニウム酸化物及び前記アルミニウム酸化物の上に形成された珪素を含む絶縁膜をエッチングして、前記配線に達するコンタクトホールを形成する工程を有する半導体素子の作製方法であって、前記エッチングの際に、フッ酸とフッ化アンモニウムとエチレングリコールとを含有し前記エチレングリコールの含有率が16〜30体積%であるエッチャントを用いることを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (76件)：

5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK10 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS26 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX34 ,  5F043AA38 ,  5F043BB25 ,  5F043DD07 ,  5F043DD23 ,  5F043FF06 ,  5F043GG02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE33 ,  5F110EE34 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25