ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-084070
公開番号（公開出願番号）：特開2005-274647
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】コンタクトホールの感度が改善され、解像力、パターンプロファイルの形状が優れ、照射装置の真空チャンバー内での引き置き時間による線幅変動、溶解コントラストが改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂及び(B)カルボキシル基を少なくとも1つ有するカチオン部と特定構造のアニオン部とを有し、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(X)で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂及び (B)カルボキシル基を少なくとも1つ有するカチオン部と下記一般式(1)で表されるアニオン部とを有し、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F7/039 , C08F212/14 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 , C08F212/14 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R

Fターム (22件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100CA03 , 4J100JA37 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-19847号公報
特開平4-219757号公報
国際特許公開02/1296号パンフレット

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