特許

J-GLOBAL ID：200903026731149750

高速CMOS電子機器及び高速アナログ回路のための緩和シリコンゲルマニウムプラットフォーム

発明者： フィッツジェラルド,ユージーン,エイ
出願人/特許権者： アンバーウェーブ システムズ コーポレイション
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-570310
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531054
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

平坦化緩和SiGeを材料プラットフォームとして使用する、高速ディジタル、アナログ、及びディジタル/アナログ組合せシステムを製造するための構造及び方法。緩和SiGeにより、高められた電子特性を有する歪みSi層が過剰となる。MOSFETチャネルを表面に配置又は埋め込むことにより、高速ディジタル回路及び/又はアナログ回路を作製することができる。デバイスのエピタキシャル層を付着する前に平坦化することにより、高級水準技術のリソグラフィ用の平坦な表面が確実となる。本発明の一実施態様によれば、基板上の平坦化緩和Si1-xGex層及び少なくとも1つの歪み層を含む該平坦化緩和Si1-xGex層上に付着させたデバイスヘテロ構造を備える半導体構造がもたらされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の平坦化緩和Si1-xGex層、及び、 前記平坦化緩和Si1-xGex層上に付着され、少なくとも1つの歪み層を含むデバイスヘテロ構造、 からなる半導体構造。

IPC (5件)：

H01L21/20 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/08 102B

Fターム (58件)：

5F048AC01 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD05 ,  5F048BD09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052GC03 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F140AA01 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CE05