特許
J-GLOBAL ID：200903026731496026
誘電体磁器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132851
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308321
出願日： 1997年05月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 誘電率が十分に高く且つ静電容量の温度特性が良好なBaTiO3 系誘電体磁器を得ることが困難であった。【解決手段】 BaTiO3 系誘電体磁器の主成分に添加成分としてMgを加える。焼成温度、時間等の調整によってMgの結晶粒に対する拡散層3の深さD2を制御する。平均粒径D1 に対してD2 の値を5〜30%の範囲にする。
請求項（抜粋）：
ABO3 {ここでAはBa、Ba+Ca、Ba+Ca+Srから選択された1種、BはTi、Ti+Zr、Ti+R、Ti+Zr+Rから選択された1種(但しRはSc、Y、Gd、Py、Ho、Er、Yb、Tb、Tm、Lu等から選択された1種以上の希土類元素)、Oは酸素を示す。}から成る主成分とMg(マグネシウム)から成る添加成分とを含む誘電体磁器において、前記誘電体磁器の結晶粒にMgが拡散されており、平均粒径の前記結晶粒においてMgの拡散層が前記結晶粒の表面から前記結晶粒の径に対して5%〜30%の深さまでの領域に形成されていることを特徴とする誘電体磁器。
引用特許：
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