特許

J-GLOBAL ID：200903026731825895

電界効果型高耐圧トランジスタ及びその製造方法

発明者： 大岸 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330578
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 オフセットドレイン領域に起因する寄生抵抗を小さくして、信頼性及び電流駆動能力の何れもが高い電界効果型高耐圧トランジスタを提供する。【構成】 低濃度の不純物領域35とその上のSiO2 膜36とを形成し、SiO2 膜36と一部同士で重畳するゲート電極を多結晶Si膜42で形成する。そして、SiO2 膜36のうちで多結晶Si膜42に覆われていない部分を除去した後に、ドレイン領域としての不純物領域45を形成する。このため、SiO2膜36と多結晶Si膜42とが重畳している長さがオフセットドレイン領域の長さになり、この長さを加工最小幅よりも短くすることができる。

請求項（抜粋）：

オフセットドレイン領域とこのオフセットドレイン領域上のフィールド絶縁膜とが半導体基板に設けられており、前記フィールド絶縁膜をゲート電極の一部が覆っており、前記フィールド絶縁膜及び前記ゲート電極の側方の前記半導体基板にドレイン領域が設けられていることを特徴とする電界効果型高耐圧トランジスタ。